# 计算 · 日跟踪 · 2026-09-21

> 日期：2026-09-21（Asia/Shanghai）。专题正文：`intel/topics/compute.md`。原料：`/workspace/intel/archive/2026-09-21/`；对照 2026-09-18 日跟踪。

## 摘要

- **新稿交叉 · CXL Type 3 NAND 扩容（Kioxia XL1）+ VCF Memory Tiering 运维语境：** 宿主机内存层级从「只加 DRAM」扩到 **CXL NAND / NVMe tiering**（媒体展台 + 厂商指引）。
- **续档 · Arm AGI CPU lab（Austin）**——本日 archive 再抓，非 09-21 战略新发；VMmark 4.1 / onsemi / Astera 续。
- **不抬升：** 将展台 CXL 演示写成已量产 HCI 默认 BOM。

## 原文摘录

### CXL Type 3 · Kioxia XL1（交叉）

- 归档：`industry/kioxia-xl1-cxl-xl-flash-nand-device-shown-9b0448a2.*`
- URL：https://www.servethehome.com/kioxia-xl1-cxl-xl-flash-nand-device-shown/

> … **Type 3** … memory expansion … DRAM for hot data, NAND for colder memory regions…

### Memory Tiering（VMware 运维交叉）

- 归档：`vmware/nvme-drive-selection-for-memory-tiering-explained-faf3748d.*`
- URL：https://blogs.vmware.com/cloud-foundation/2026/09/18/nvme-drive-selection-for-memory-tiering-explained/

> … run larger workloads and consolidate more VMs without constantly buying more DRAM…

### 续档指针

- Arm AGI lab：`industry/inside-the-lab-where-the-arm-agi-cpu-is-brought-to-life-720ea00e.*`（再抓）；见 `tracking/topics/compute/2026-09-18.md`。